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MPS2907A	文件：198.47 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS General Purpose Transistors 文件：198.47 Kbytes 页数：5 Pages	CDIL	CDIL
MPS2907A	文件：228.34 Kbytes Page：2 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Complementary NPN Type available (MPS2222A) 文件：228.34 Kbytes 页数：2 Pages	DAYA 大亚电器	DAYA
MPS2907A	文件：1.035089 Mbytes Page：2 Pages	TO-92 PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS FEATURES Power dissipation PCM: 0.625W (Tamb=25°C) Collector current ICM: -0.6 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -60 V Operating and storage junction temperature range Tj, Tstg: -55°C to +150°C 文件：1.035089 Mbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MPS2907A	文件：39.68 Kbytes Page：3 Pages	SMALL SIGNAL TRANSISTORS (PNP) FEATURES ♦ PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. ♦ On special request, this transistor is also manufactured in the pin configuration TO-18. ♦ This transistor is also available in the SOT-23 case with the type designation MMBT2907A. 文件：39.68 Kbytes 页数：3 Pages	GE	GE
MPS2907A	文件：203.19 Kbytes Page：5 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Complementary NPN Type available (MPS2222A) 文件：203.19 Kbytes 页数：5 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
MPS2907A	文件：191.63 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistor FEATURES . Epitaxial Planar Die Construction . Complementary NPN Type Available (MPS2222A) . Ideal for Medium Power Amplification and Switching 文件：191.63 Kbytes 页数：5 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
MPS2907A	文件：51.16 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The MPS2907A is designed for general purpose amplifier and high speed, medium-power switching applications. Features • Low Collector Saturation voltage. • High Speed Switching. • For Complementary Use with NPN Type MPS2222A. 文件：51.16 Kbytes 页数：3 Pages	TGS	TGS
MPS2907A	文件：1.72118 Mbytes Page：5 Pages	丝印：MPS2907AZ；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 文件：1.72118 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
MPS2907A	文件：126.29 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -0.6 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：126.29 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
MPS2907A	文件：138.06 Kbytes Page：2 Pages	Complementary NPN Type available FEATURES Complementary NPN Type available (MPS2222A) 文件：138.06 Kbytes 页数：2 Pages	FS	FS

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技术参数

PCM(W)：
0.625
IC(A)：
0.6
VCBO(V)：
60
VCEO(V)：
40
VEBO(V)：
5
hFEMin：
100
hFEMax：
300
hFE@VCE(V)：
10
hFE@IC(A)：
0.15
VCE(sat)(V)：
0.67
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
TO-92

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