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MPS2222	文件：620.75 Kbytes Page：1 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TO-92Plastic-EncapsulateNPNTransistors	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司	DAYA
MPS2222	文件：198.4 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS GeneralPurposeTransistors	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MPS2222	文件：371.57 Kbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●GeneralPurposeSwitchingandAmplification	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MPS2222	文件：125.26 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURE Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MPS2222	文件：171.49 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon FEATURE ComplementaryPNPTypeavailable(MPS2907)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MPS2222	文件：1.58279 Mbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES GeneralPurposeSwitchingandAmplification	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MPS2222A	文件：39.49 Kbytes Page：1 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR(GENERALPURPOSETRANSISTOR) GENERALPURPOSETRANSISTOR •Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V •CollectorDissipation:Pc(max)=625mW	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MPS2222A	文件：244.76 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MPS2222A	文件：119.99 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS2222A	文件：111.42 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALTRANSISTORS(NPN) FEATURES ♦NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications. ♦Onspecialrequest,thistransistorisalsomanufacturedinthepinconfigurationTO-18. ♦ThistransistorisalsoavailableintheSOT-23casewiththetypedesignationMMBT2222A	GE GE Industrial Company	GE

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技术参数

Configuration：
Quad
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.3@15mA@150mA1@50mA@500mA
Maximum Collector Emitter Voltage：
40V
Maximum DC Collector Current：
0.5A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
1900mW
Maximum Transition Frequency：
200(Min)MHz
Type：
NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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