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MPQ2222A	文件：401.17 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON QUAD TRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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MPQ2222A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Quad NPN General Purpose Amplifier/Switch;	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPQ2222A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 14-Pin CDIP;	NJS New Jersey Semiconductor	NJS
MPS2222	文件：77.29 Kbytes Page：2 Pages	NPN(GENERALPURPOSETRANSISTOR) GENERALPURPOSETRANSISTOR •Collector-EmitterVoltage:VCEO=30V •CollectorDissipation:Pc(max)=625mW	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MPS2222	文件：244.76 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MPS2222	文件：351.34 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors NPNSiliconGeneralPurposeTransistors	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MPS2222	文件：98.02 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS GeneralPurposeTransistors	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MPS2222	文件：119.99 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS2222	文件：96.07 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

Configuration：
Quad
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.3@15mA@150mA1@50mA@500mA
Maximum Collector Emitter Voltage：
40V
Maximum DC Collector Current：
0.5A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
1900mW
Maximum Transition Frequency：
200(Min)MHz
Type：
NPN

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