100V, 8A, High-Frequency,Half-Bridge Gate Driver,AEC-Q100 Qualified

DESCRIPTION The MPQ1923-AEC1 is a high-frequency, Nchannel MOSFET, half-bridge gate driver. The device’s low-side MOSFET (LS-FET) and highside MOSFET (HS-FET) driver channels are controlled independently, and are matched with

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100V、8A、高频、半桥栅极驱动器，符合 AEC-Q100 认证

MPQ1923 是一款高频、N 沟道 MOSFET、半桥栅极驱动器。该器件的下管 MOSFET (LS-FET) 和上管 MOSFET (HS-FET) 驱动器通道可独立控制，且匹配时延小于 5ns。\n\n 在供电不足的情况下，MPQ1923 的 HS-FET 和 LS-FET 欠压锁定 (UVLO) 保护功能将强制拉低输出。该器件还集成了自举 (BST) 二极管，这减少了外部元器件的使用数量。\n\n MPQ1923 采用 QFN-10 (4mmx4mm) 或 QFN-8 (4mmx4mm) 封装。 • 可驱动 N 沟道 MOSFET 半桥\n• 具有 4.5V 欠压锁定 (UVLO) 下降阈值的低压差\n• 120V 自举电压 (VBST) 范围\n• 片上自举二极管\n• 20ns 典型传播延迟\n• 12V VDD条件下具备 8A 灌电流、7A 拉电流\n• 栅极驱动器匹配时延 < 5ns\n• 12V VDD 条件下能够以 7.2ns 上升时间 (tRISE) 和 5.5ns 下降时间 (tFALL) 驱动 1nF 负载\n• TTL 兼容输入\n• 静态电流 (IQ) < 300μA\n• HS-FET 和 LS-FET 栅极驱动器 UVLO 保护\n• 采用 QFN-10 (4;

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