半桥GaN/MOSFET驱动器

MP8699B 专用于驱动半桥或同步应用中的增强型氮化镓 (GaN) FET 或具有低栅极电压阈值的 N 沟道 MOSFET。 MP8699B 采用独立的高端 (HS) 和低端 (LS) 脉宽调制 (PWM) 输入。\n\n 该器件采用自举 (BST) 技术提供 HS 驱动器电压，并可在高达 100V 的电压下工作。其新型充电技术将 HS 驱动器电压保持在 VCC 电压以下，从而防止栅极电压超过增强型 GaN FET 的最大栅源电压额定值。\n\n MP8699B 具备两个独立的栅极输出，通过增加栅极环路的阻抗，可独立调节导通与关断能力。\n\n MP8699B • 独立的高端 (HS) 与低端 (LS) TTL 逻辑输入\n• HS 浮动偏置电压轨工作电压高达 100 VDC\n• 可调节导通与关断能力的独立栅极输出\n• 2V 至 5.5V VCC  范围\n• 2Ω 下拉电阻、1Ω 上拉电阻\n• 快速传播时间（通常为 17ns）\n• 出色的传播延迟匹配（通常为 1.5ns）\n• 采用 WLCSP-12L (2mmx2mm) 封装;

MPS

美国芯源

Microprocessor Supervisory Circuits

GENERAL DESCRIPTION The ADM8698/ADM8699 supervisory circuits provide power supply monitoring and watchdog timing for microprocessor systems. FEATURES Superior Upgrade for ADM698/ADM699, MAX698/MAX699 Guaranteed RESET Assertion with VCC = 1 V Low 70 μA Supply Current Prec

文件：95.51 Kbytes 页数：4 Pages

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