MP8699B中文资料半桥GaN/MOSFET驱动器数据手册MPS规格书
MP8699B规格书详情
描述 Description
MP8699B 专用于驱动半桥或同步应用中的增强型氮化镓 (GaN) FET 或具有低栅极电压阈值的 N 沟道 MOSFET。 MP8699B 采用独立的高端 (HS) 和低端 (LS) 脉宽调制 (PWM) 输入。
该器件采用自举 (BST) 技术提供 HS 驱动器电压，并可在高达 100V 的电压下工作。其新型充电技术将 HS 驱动器电压保持在 VCC 电压以下，从而防止栅极电压超过增强型 GaN FET 的最大栅源电压额定值。
MP8699B 具备两个独立的栅极输出，通过增加栅极环路的阻抗，可独立调节导通与关断能力。
MP8699B 采用 WLCSP-12L (2mmx2mm) 封装。
特性 Features
• 独立的高端 (HS) 与低端 (LS) TTL 逻辑输入
• HS 浮动偏置电压轨工作电压高达 100 VDC
• 可调节导通与关断能力的独立栅极输出
• 2V 至 5.5V VCC 范围
• 2Ω 下拉电阻、1Ω 上拉电阻
• 快速传播时间（通常为 17ns）
• 出色的传播延迟匹配（通常为 1.5ns）
• 采用 WLCSP-12L (2mmx2mm) 封装
技术参数
- 制造商编号
：MP8699B
- 生产厂家
：MPS
- 最小输入电压（V）
：4.5
- 最大输入电压（V）
：5.5
- 最大自举电压（V）
：100
- 峰值上拉电流（A）
：1.7
- 峰值下拉电流（A）
：5.2
- 上升时间（ns）
：10
- 下降时间（ns）
：3
- 启动延时（ns）
：17
- 关机延时（ns）
：17
- 封装
：WLCSP-12L (2x2)
- 等级
：目录
- MPSafe
：1
- MPL
：0
- Product URL
：https://www.monolithicpower.cn/cn/products/mp8699b.html
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Monolithic Power Systems Inc. |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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MPS |
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MPS/美国芯源 |
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MPS/芯源 |
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询价 | |||
MPS |
23+ |
S/N |
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MPS |
23+ |
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50000 |
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MPS |
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SOP8 |
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原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Monolithic Power Systems Inc. |
24+ |
- |
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询价 |
