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MP6N120	文件：863.87 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL MOSFET APPLICATIONS  High efficiency switch mode power supplies  Electronic lamp ballasts based on half bridge  UPS FEATURES Planar MOS Low gate charge Low Crss (typical 7.0pF ) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product 文件：863.87 Kbytes 页数：8 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
MP6N120-C-BR	文件：863.87 Kbytes Page：8 Pages	丝印：MP6N120；Package：TO-220C；N-CHANNEL MOSFET APPLICATIONS  High efficiency switch mode power supplies  Electronic lamp ballasts based on half bridge  UPS FEATURES Planar MOS Low gate charge Low Crss (typical 7.0pF ) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product 文件：863.87 Kbytes 页数：8 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
MP6N120	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应晶体管/MOSFET-大于800V系列	JSMC 华微电子	JSMC
MP6N120-C-B	文件：863.87 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL MOSFET APPLICATIONS  High efficiency switch mode power supplies  Electronic lamp ballasts based on half bridge  UPS FEATURES Planar MOS Low gate charge Low Crss (typical 7.0pF ) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product 文件：863.87 Kbytes 页数：8 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

技术参数

ID@25℃(A)：
6
ID@100℃(A)：
3.6
PD(W)：
301
BVdss(V)：
1200
Rds(on)(Ω)：
2.55
Package：
TO-220C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MP6N120供应商更新时间2025-12-22 9:57:00

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