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MP356W	文件：211.83 Kbytes Page：4 Pages	High Current Glass Passivated Molding Single-Phase Bridge Rectifier ReverseVoltage100to1000VForwardCurrent35.0A FEATURES •PlasticPackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Highcurrentcapacitywithsmallpackage •Glasspassivatedchipjunctions •Superiorthermalconductivity •HighIFSM	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MP356W	文件：199.87 Kbytes Page：3 Pages	35 Amp Single Phase Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
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MU356	文件：70.76 Kbytes Page：2 Pages	0.56THREEDIGITNUMBERICDISPLAYS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
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NDS356	文件：78.74 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription SuperSOTTM-3P-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticular	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS356AP	文件：78.74 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription SuperSOTTM-3P-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticular	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS356AP-NL	文件：1.04768 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
MP356W
功能描述：
桥式整流器 35A 600V LP
RoHS：
否
制造商：
Vishay
产品：
Single Phase Bridge
峰值反向电压：
1000 V 最大 RMS
正向连续电流：
4.5 A
最大浪涌电流：
450 A
正向电压下降：
1 V
最大反向漏泄电流：
10 uA
最大工作温度：
+ 150 C
长度：
30.3 mm
宽度：
4.1 mm
高度：
20.3 mm
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
SIP-4
封装：
Tube

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