5.2V、3A、双相升压变换器，集成输出断连功能和 I2C 接口

MPL • 2.7V 至 5V 输入电压 (VIN) 范围\n• I2C 可配置的5V 至5.5V输出电压 (VOUT)范围，步长为 25mV\n• I2C 可配置的5A 或3.5A 可选开关谷电流限制\n• 23µA 静态电流 (IQ)\n• 1MHz 或 2MHz 可选开关频率 (fSW)\n• 具有 180° 偏移的双相升压开关\n• 每相 24mΩ/29mΩ 内部 MOSFET\n• 恒定导通时间 (COT) 控制实现快速瞬态响应\n• 通过 I2C 或 MODE 引脚可配置跳频模式 (PSM)、超声波模式 (USM) 和强制连续导通模式 (FCCM)\n• 频谱扩展功能 (FSS) 用于降低;

MPS

美国芯源

SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs

FEATURE Surface Mount Package Low RDS(on) Operated at Low Logic Level Gate Drive ESD Protected Gate Including a N-ch CJ3134K and a P-ch CJ3139K independently) In a Package

文件：2.35792 Mbytes 页数：6 Pages

DGNJDZ

南晶电子

60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：278.72 Kbytes 页数：6 Pages

PANJIT

強茂

60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@-10V, ID@-500mA

文件：295.63 Kbytes 页数：6 Pages

PANJIT

強茂