3A, 1.3V??.0V DDR Memory Termination Regulator

文件：257.839 Kbytes 页数：11 Pages

MPS

美国芯源

Reed based magnetic proximity sensor in aluminum threaded housing

文件：254.1 Kbytes 页数：2 Pages

ZFSWITCHES

采埃孚

3A, DDR 终端稳压器

MP2007 集成了 DDR 存储器终端稳压器，可以提供VTT输出和缓冲基准 VTTREF输出（即VREF 的一半）。VTT-LDO 为 3A 灌/拉电流跟踪终端稳压器。它专用于低成本、仅使用少量外部元器件的系统，这些系统对空间利用率要求都较高。MP2007只需 20μF (2x10μF) 的陶瓷输出电容即可维持快速瞬态响应。MP2007支持开尔文（ Kelvin）采样功能。MP2007 采用带散热焊盘的8引脚 MSOP 封装，工作温度为-40oC 至 85oC。 • VDDQ 电压范围：1.3V 至 6.0 V\n• 高达 3A 的内置灌/拉电流线性稳压器，可为 DDR终端提供精确的 VREF/2 分压参考电压。\n• 仅需 20uF 陶瓷输出电容\n• 驱动电压范围：4.5 V 至 5.5 V\n• 1.3V 输入（VDDQ）有助于减少总耗散功率\n• 内置分压器跟踪 VREF ，实现精确的 VTT 和 VTTREF 输出电压\n• Kelvin 采样（VTTSEN）功能\n• VTT 和 VTTREF 输出精度为 ±20mV\n• 内置软启动功能、欠压锁定保护（UVLO）和过流限制功能（OCL）\n• 过温关断保护;

MPS

美国芯源

磁性接近传感器

ZF

采埃孚

Reed based magnetic proximity sensor in aluminum threaded housing

文件：254.1 Kbytes 页数：2 Pages

ZFSWITCHES

采埃孚

Reed based magnetic proximity sensor in aluminum threaded housing

文件：254.1 Kbytes 页数：2 Pages

ZFSWITCHES

采埃孚

Reed based magnetic proximity sensor in aluminum threaded housing

文件：254.1 Kbytes 页数：2 Pages

ZFSWITCHES

采埃孚

2A, 1.3V.6.0V DDR Memory Termination Regulator

文件：437.55 Kbytes 页数：11 Pages

MPS

美国芯源

2A, 1.30V ??6.0V DDR Memory VTT Termination Regulator

文件：150.74 Kbytes 页数：4 Pages

MPS

美国芯源

2A, 1.3V.6.0V DDR Memory Termination Regulator

文件：437.55 Kbytes 页数：11 Pages

MPS

美国芯源