丝印：MP18021A；Package：SOIC8；100V, 2.5A, High-Frequency Half-Bridge Gate Driver

文件：480.99 Kbytes 页数：12 Pages

MPS

美国芯源

100V高频N-MOSFET半桥栅极驱动器, 具有1ns匹配延迟

MP18021 是一款100V高频半桥N-沟道功率MOSFET驱动器。其上下管驱动通道可独立控制，且匹配延迟小于 5ns。在电源不足的情况下，上下管电源均被欠压锁定，并强制输出低电平。集成自举二极管减少了外部元器件的使用。 • 驱动 N-沟道 MOSFET 半桥\n• 100V VBST 电压范围\n• 集成自举二极管\n• 16ns 的典型延迟\n• 栅极驱动匹配时间小于 5ns\n• 12V VDD 时驱动 1nF 负载具有 12ns 的上升时间和 9ns 的下降时间\n• TTL 兼容输入\n• 小于150μA的静态电流\n• 上下管驱动电压欠压锁定保护\n• 采用SOIC8 EPAD封装;

MPS

美国芯源

100V、2.5A 高频半桥栅极驱动器

MP18021A是一款高频100V半桥N-沟道功率MOSFET驱动器。其上下管驱动通道可独立控制，且匹配延迟小于 5ns。在电源不足的情况下，上下管电源均被欠压锁定，并强制输出低电平。其集成自举二极管减少了外部元器件的使用数量。 • 驱动 N-沟道 MOSFET 半桥\n• 100V VBST 电压范围\n• 集成自举二极管\n• 16ns 的典型延迟\n• 栅极驱动匹配时间小于 5ns\n• 12V VDD 时驱动 1nf 负载具有 12ns的上升时间和 9ns 的下降时间\n• 可兼容TTL输入\n• 静态电流小于 150μA\n• 上下管驱动电压欠压锁定保护\n• 采用 SOIC8E 和3mm×3mm QFN8 封装;

MPS

美国芯源

100V、4A 高频半桥栅极驱动器

MP18024 是一款高频100V半桥N-沟道功率MOSFET驱动器。其上下管驱动通道可独立控制，且匹配延迟小于 5ns。在电源不足的情况下，上下管电源均被欠压锁定，并强制输出低电平。其集成自举二极管减少了外部元器件的使用数量。 • 驱动 N-沟道 MOSFET 半桥\n• 100V VBST 电压范围\n• 集成自举二极管\n• 20ns 的典型延迟\n• 栅极驱动匹配时间小于 5ns\n• 12V VDD 时驱动 2.2nf 负载具有 15ns 的上升时间和 12ns 的下降时间\n• 可兼容TTL输入\n• 静态电流小于 150μA\n• 上下管驱动电压欠压锁定保护\n• 采用 SOIC8E 封装;

MPS

美国芯源

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘；包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Monolithic Power Systems Inc.

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘；包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Monolithic Power Systems Inc.