MP18021中文资料100V高频N-MOSFET半桥栅极驱动器, 具有1ns匹配延迟数据手册MPS规格书
| 厂商型号 |
MP18021 |
| 参数属性 | MP18021 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘；包装为管件；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| 功能描述 | 100V高频N-MOSFET半桥栅极驱动器, 具有1ns匹配延迟 |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘 |
| 制造商 | MPS Monolithic Power Systems |
| 中文名称 | 美国芯源 美国芯源系统有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-21 1:01:00 |
| 人工找货 | MP18021价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MP18021规格书详情
描述 Description
MP18021 是一款100V高频半桥N-沟道功率MOSFET驱动器。其上下管驱动通道可独立控制，且匹配延迟小于 5ns。在电源不足的情况下，上下管电源均被欠压锁定，并强制输出低电平。集成自举二极管减少了外部元器件的使用。
特性 Features
• 驱动 N-沟道 MOSFET 半桥
• 100V VBST 电压范围
• 集成自举二极管
• 16ns 的典型延迟
• 栅极驱动匹配时间小于 5ns
• 12V VDD 时驱动 1nF 负载具有 12ns 的上升时间和 9ns 的下降时间
• TTL 兼容输入
• 小于150μA的静态电流
• 上下管驱动电压欠压锁定保护
• 采用SOIC8 EPAD封装
技术参数
- 制造商编号
：MP18021
- 生产厂家
：MPS
- MPS库存
：从MPS官网购买
- 最小输入电压（V）
：9
- 最大输入电压（V）
：16
- 最大自举电压（V）
：100
- 峰值上拉电流（A）
：1.5
- 峰值下拉电流（A）
：2.5
- 上升时间（ns）
：12
- 下降时间（ns）
：9
- 启动延时（ns）
：16
- 关机延时（ns）
：16
- 封装
：QFN-8 (3x3)
- 等级
：目录
- MPSafe
：1
- MPL
：0
- Product URL
：https://www.monolithicpower.cn/cn/mp18021.html
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MPS |
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QFN |
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MPS |
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MPS |
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MPS(美国芯源) |
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