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MMUN2233LT1G	文件：110.08 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 k 文件：110.08 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2233LT1G	文件：140.42 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：140.42 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2233LT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2233LT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2233LT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2233LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
50V
电阻器 - 基底（R1）：
4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基底（R2）：
47 kOhms
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
功率 - 最大值：
246mW
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MMUN2233L	ON	24+		5000	有部份现货	询价
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