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MMUN2233L	文件：149.14 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 k Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 k NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a mono 文件：149.14 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2233L	文件：140.42 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：140.42 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2233L	文件：110.08 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 k 文件：110.08 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2233LT1	文件：146.66 Kbytes Page：10 Pages	Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisti 文件：146.66 Kbytes 页数：10 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMUN2233LT1	文件：175.58 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consistin 文件：175.58 Kbytes 页数：12 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MMUN2233LT1G	文件：149.14 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 k Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 k NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a mono 文件：149.14 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2233LT1	文件：104.94 Kbytes Page：12 Pages	Bias Resistor Transistor 文件：104.94 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2233LT1	文件：100.37 Kbytes Page：12 Pages	Bias Resistor Transistor 文件：100.37 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2233LT1G	文件：100.37 Kbytes Page：12 Pages	Bias Resistor Transistor 文件：100.37 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2233LT1G	文件：177.51 Kbytes Page：18 Pages	Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor 文件：177.51 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
50V
电阻器 - 基底（R1）：
4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基底（R2）：
47 kOhms
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
功率 - 最大值：
246mW
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）

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