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MMST2907A	文件：54.56 Kbytes Page：3 Pages	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > -60V • IC = -600mA Collector Current • Epitaxial Planar Die Construction • Ultra-Small Surface Mount Package • Complementary NPN Type: MMST2222A • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualif 文件：54.56 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMST2907A	文件：84.57 Kbytes Page：2 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Power dissipation: 200mW (Tamb=25°C) • Collector current: -0.6A • Marking Code: K3F • Operating and Storage junction temperature range -55°C to + 150°C • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Co 文件：84.57 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
MMST2907A	文件：94.6 Kbytes Page：5 Pages	丝印：R2F；Package：SOT-346；PNP Medium Power Transistor (Switching) Features 1) BVCEO 文件：94.6 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
MMST2907A	文件：133.27 Kbytes Page：3 Pages	丝印：K3F；Package：SOT-323；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Power dissipation.(PC=200mW) ● Epitaxial planar die construction. ● Complementary NPN type MMST2222A. APPLICATIONS ● General purpose application. 文件：133.27 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
MMST2907A	文件：79.55 Kbytes Page：4 Pages	丝印：R2F；Package：SOT-346；PNP Medium Power Transistor (Switching) Features 1) BVCEO 文件：79.55 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
MMST2907A	文件：1.3769 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES • Epitaxial planar die construction • Complementary PNP Type available(MMST2222A) 文件：1.3769 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
MMST2907A	文件：1.66841 Mbytes Page：4 Pages	丝印：K3F；Package：SOT-323；SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Epitaxial planar die construction Complementary PNP Type available(MMST2222A) 文件：1.66841 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
MMST2907A	文件：131.51 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -0.6 A Collector-base voltage V(BR) CBO: -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：131.51 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
MMST2907A	文件：202.28 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Epitaxial planar die construction Complementary PNP Type available(MMST2222A) 文件：202.28 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
MMST2907A	文件：117.1 Kbytes Page：5 Pages	丝印：R2F；Package：SOT-346；PNP Medium Power Transistor 文件：117.1 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Yes
Product Type：
PNP
IC (A)：
0.6 A
ICM (A)：
N/A A
PD (W)：
0.2 W
hFE (min)：
100 Min
hFE(@ IC)：
0.001 A
hFE(Min 2)：
50
hFE(@ IC2)：
0.5 A
VCE (SAT)Max (mV)：
400 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.1/10
VCE (SAT)(Max.2)：
1600 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
0.5/50
fT (MHz)：
200 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT323

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更多MMST2907A供应商更新时间2018-1-9 15:48:00

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