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MMST2222A	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管;	JSCJJiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 长晶科技江苏长晶科技股份有限公司	JSCJ
MMST2222A	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 40V, 0.6A, SOT323;	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
MMST2222A-7	文件：55.75 Kbytes Page：3 Pages	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •BVCEO>40V •IC=600mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryPNPType:MMST2907A •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifie	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST2222A-7	文件：54.56 Kbytes Page：3 Pages	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •BVCEO>-60V •IC=-600mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryNPNType:MMST2222A •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualif	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST2222A-G	文件：118.69 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistor Features -Powerdissipation PCM:0.2W(TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:0.6A -Collector-basevoltage V(BR)CBO:75V -Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,TSTG:-55°Cto+150°C	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMST2222A-TP	文件：82.35 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •PowerDissipation:0.2W •Ultra-smallsurfacemountpackage •Marking:K3P •Halogenfreeavailableupon	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMST2222A_1	文件：84.07 Kbytes Page：4 Pages	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST2222A_11	文件：189.91 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMST2222A_13	文件：231.64 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMST2222A_13	文件：135.93 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
SMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-346
JEITA Package：
SC-59
Package Size[mm]：
2.9x2.8 (t=1.1)
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Collector Power dissipation PC[W]：
0.2
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
40.0
Collector current Io(Ic) [A]：
0.6
hFE：
100 to 300
hFE (Min.)：
100
hFE (Max.)：
300
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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