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MMP60R580PTH	文件：333.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMP60R750PTH	文件：332.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=5.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMP65R190PTH	文件：333.28 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMP80R900PCTH	文件：333.47 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMPQ2222	文件：108.84 Kbytes Page：4 Pages	Quad General Purpose Transistors QuadGeneralPurposeTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMPQ2222	文件：113.81 Kbytes Page：6 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.SourcedfromProcess19.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMPQ2222A	文件：108.84 Kbytes Page：4 Pages	Quad General Purpose Transistors QuadGeneralPurposeTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMPQ2222A	文件：140.96 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON QUAD TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMMPQ2222A,consistingoffourtransistorsandavailableintheSOIC-16surfacemountpackage,isdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MMPQ2369	文件：198.06 Kbytes Page：6 Pages	NPN Switching Transistor NPNSwitchingTransistor Thisdeviceisdesignedforhighspeedsaturationswitchingatcollectorcurrentsof10mAto100mA.SourcedfromProcess21.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMPQ2907	文件：58.25 Kbytes Page：6 Pages	PNP General Purpose Amplifier Description ThePN2907A,MMBT2907A,andPZT2907Aare60V-PNPbipolartransistorsdesignedforuseasageneral-purposeamplifierorswitchinapplicationsthatrequireupto500mA.Offeredinanultra-smallsurface-mountpackage(SOT-223),thePZT2907Aisidealforspace-constrainedsystems.T	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
MMP
功能描述：
RES MELF METAL 100K OHM 1W 1%
RoHS：
是
类别：
电阻器 >> 芯片电阻 - 表面安装
系列：
MMP
标准包装：
10,000
系列：
RT
电阻（欧姆）：
158
功率（瓦特）：
0.063W，1/16W
复合体：
薄膜
特点：
-
温度系数：
±25ppm/°C
容差：
±0.1%
封装/外壳：
0402（1005 公制）
尺寸/尺寸：
0.039 L x 0.020 W（1.00mm x 0.50mm）
高度：
0.014（0.35mm）
端子数：
2
包装：
带卷(TR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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