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MMG20271H	文件：476.78 Kbytes Page：18 Pages	Enhancement Mode pHEMT Technology (E--pHEMT) High Linearity Amplifier	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MMG20271H9	文件：784.23 Kbytes Page：18 Pages	High Linearity Amplifier	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MMG20271H9T1	文件：784.23 Kbytes Page：18 Pages	High Linearity Amplifier	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MMG20271HT1	文件：552.09 Kbytes Page：18 Pages	Enhancement Mode pHEMT Technology (E-pHEMT) High Linearity Amplifier	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MMG20271HT1	文件：476.78 Kbytes Page：18 Pages	Enhancement Mode pHEMT Technology (E--pHEMT) High Linearity Amplifier	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MMG20271H9T1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：散装类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC AMP LTE 1.5GHZ-2.7GHZ SOT89A	NXP USA Inc. NXP USA Inc.	NXP USA Inc.
MMG20271HT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：12-VFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC AMP LTE 1.5GHZ-2.7GHZ 12QFN	NXP USA Inc. NXP USA Inc.	NXP USA Inc.
TVR20271	文件：2.1527 Mbytes Page：43 Pages	ZINCOXIDEVARISTOR50SERIES TVM0A270KSMD0402SIZE TVM1A080MSMD0603SIZE TVM2A080MSMD0805SIZE TVM3A080MSMD1206SIZE TVM4A080MSMD1210SIZE TVR051805PIEVARISTOR TVR071807PIEVARISTOR TVR1018010PIEVARISTOR TVR1418014PIEVARISTOR TVR2018020PIEVARISTOR TVR25	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
TVR20271KSW	文件：598.9 Kbytes Page：23 Pages	DiscTypeVaristorforSurgeProtection(HighSurgeSeries)	THINKINGThinking Electronic Industrial Co.,Ltd 兴勤兴勤(常州)电子有限公司	THINKING
UBA20271	文件：464.25 Kbytes Page：33 Pages	350Vand600VPowerICsfordimmablecompactfluorescentlamps Generaldescription TheUBA20271/2arehigh-voltagepowerICsintendedtodriveandcontrolhigherpoweredselfballastedCompactFluorescentLamp(CFL)lightingapplications.TheUBA20271/2operatefrom120Vand230V.Themoduleincludesahalf-bridgepowercircuitoftwoNMOSTpowerFETs.In	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

详细参数

型号：
MMG20271H
功能描述：
射频放大器 27 dBm P1dB GPA SOT-89A
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
类型：
Low Noise Amplifier
工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
输出截获点：
37.5 dBm
功率增益类型：
32 dB
噪声系数：
0.85 dB
工作电源电压：
5 V
电源电流：
125 mA
测试频率：
2.6 GHz
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
封装：
Reel

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