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MMFT2N25E

High Energy Power FET

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ONSEMI

安森美半导体

MMFT2N25E

TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 250 VOLTS

文件:139.37 Kbytes 页数:6 Pages

Motorola

摩托罗拉

MMFT2N25E

High Energy Power FET

ONSEMI

安森美半导体

MTP2N25

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:300.38 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    MMFT2N25E

  • 制造商:

    MOTOROLA

  • 制造商全称:

    Motorola, Inc

  • 功能描述:

    TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 250 VOLTS

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
24+
30000
本站现库存
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ON
08+
4000
普通
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ON
22+
SOT-223
6000
十年配单,只做原装
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ON
22+
SOT-223
25000
专注配单,只做原装进口现货
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MOTO
24+
SOT-223
5000
只做原装公司现货
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SOT-223
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NA
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SOT-223
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ON/安森美
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SOT-223
30000
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ON/安森美
23+
SOT-223
50000
全新原装正品现货,支持订货
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更多MMFT2N25E供应商 更新时间2025-12-1 16:00:00