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MMFT2N25E	文件：142.34 Kbytes Page：6 Pages	High Energy Power FET 文件：142.34 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMFT2N25E	文件：139.37 Kbytes Page：6 Pages	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 250 VOLTS 文件：139.37 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MMFT2N25E	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Energy Power FET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTP2N25	文件：300.38 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：300.38 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
MMFT2N25E
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 250 VOLTS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MMFT2N25E		24+		30000	本站现库存	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	MMFT2N25E	ON	25+		4000	普通	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	MMFT2N25E	ON	22+	SOT-223	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市跃创芯科技有限公司	MMFT2N25E	ON	22+	SOT-223	25000	专注配单,只做原装进口现货	询价
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深圳市华斯顿科技有限公司	MMFT2N25ET3	MOT	25+23+	SOT223	76055	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
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更多MMFT2N25E供应商更新时间2026-1-19 16:00:00

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