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MMFT2N25E

TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 250 VOLTS

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

MMFT2N25E

High Energy Power FET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

FIR2N25BLG

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司

HM2N25

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

MTP2N25

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    MMFT2N25E

  • 制造商:

    MOTOROLA

  • 制造商全称:

    Motorola, Inc

  • 功能描述:

    TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 250 VOLTS

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
24+
4000
只做原厂渠道 可追溯货源
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24+
30000
本站现库存
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ON
08+
4000
普通
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ON
22+
SOT-223
6000
十年配单,只做原装
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ON
22+
SOT-223
25000
专注配单,只做原装进口现货
询价
ON
22+
SOT-223
25000
专注配单,只做原装进口现货
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MOTO
24+
SOT-223
5000
只做原装公司现货
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更多MMFT2N25E供应商 更新时间2025-7-26 16:36:00