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MMDT8150	文件：125.6 Kbytes Page：2 Pages	LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MMDT8150 is a Dual NPN epitaxial planar transistor. It has low VCE(SAT) performance and the transistor elements are independent to eliminate interference. FEATURES * Low VCE(SAT), VCE(SAT)=40mV (typ.)@IC / IB = 50mA / 2.5mA * Transistor elements are independent to eliminate 文件：125.6 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
MMDT8150	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complex Bipolar Transistor The UTC MMDT8150 is a Dual NPN epitaxial planar transistor. It has low VCE(SAT) performance and the transistor elements are independent to eliminate interference. · Low VCE(sat), VCE(sat)=40mV (typ.)@IC / IB = 50mA / 2.5mA\n· Transistor elements are independent, eliminating interference.\n· Mounting cost and area can be cut in half.;	UTC 友顺	UTC
MMDT8150G-AL6-R	文件：125.6 Kbytes Page：2 Pages	LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MMDT8150 is a Dual NPN epitaxial planar transistor. It has low VCE(SAT) performance and the transistor elements are independent to eliminate interference. FEATURES * Low VCE(SAT), VCE(SAT)=40mV (typ.)@IC / IB = 50mA / 2.5mA * Transistor elements are independent to eliminate 文件：125.6 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
MMDT8150L-AL6-R	文件：125.6 Kbytes Page：2 Pages	LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MMDT8150 is a Dual NPN epitaxial planar transistor. It has low VCE(SAT) performance and the transistor elements are independent to eliminate interference. FEATURES * Low VCE(SAT), VCE(SAT)=40mV (typ.)@IC / IB = 50mA / 2.5mA * Transistor elements are independent to eliminate 文件：125.6 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
MMDT8150_15	文件：134.65 Kbytes Page：3 Pages	LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR 文件：134.65 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
MMDT8150G-AL6-R	文件：134.65 Kbytes Page：3 Pages	LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR 文件：134.65 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
MMDT8150L-AL6-R	文件：134.65 Kbytes Page：3 Pages	LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR 文件：134.65 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

BVCBO*BVCES#BVCEV(V)Max.：
40
BVCEO*BVCES(V)Max.：
32
IC(mA)Max.：
800
PDTA=25℃(W)：
0.2
hFEMIN.：
180
hFEMAX.：
560
hFEtestIC(mA)：
100
hFEtestVCE(V)：
1
VCE(Sat)(V)MAX.：
0.3
VCE(Sat)testIC(mA)：
400
VCE(Sat)testIB(mA)：
20
ftMIN.(MHz)：
*150
CobMAX.(pF)：
*15.0
Package：
SOT-363

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