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MMDT8150G-AL6-R中文资料友顺数据手册PDF规格书

MMDT8150G-AL6-R
厂商型号

MMDT8150G-AL6-R

功能描述

LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

文件大小

125.6 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Unisonic Technologies
企业简称

UTC友顺

中文名称

友顺科技股份有限公司官网

原厂标识
UTC
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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MMDT8150G-AL6-R规格书详情

DESCRIPTION

The UTC MMDT8150 is a Dual NPN epitaxial planar transistor. It has low VCE(SAT) performance and the transistor elements are independent to eliminate interference.

FEATURES

* Low VCE(SAT), VCE(SAT)=40mV (typ.)@IC / IB = 50mA / 2.5mA

* Transistor elements are independent to eliminate interference.

* Mounting cost and area can be cut in half.

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