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MMBZ10VAL	文件：448.67 Kbytes Page：4 Pages	24W AND 40W PEAK POWER DUAL SURFACE MOUNT TVS 文件：448.67 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBZ10VAL	文件：1.52746 Mbytes Page：10 Pages	Transient Voltage suppressor 文件：1.52746 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
MMBZ10VAL	文件：1.58368 Mbytes Page：10 Pages	Transient Voltage suppressor 文件：1.58368 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
MMBZ10VAL	文件：1.52643 Mbytes Page：10 Pages	丝印：D0T；Package：SOT-23；Transient Voltage suppressor 文件：1.52643 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
MMBZ10VAL	文件：1.51182 Mbytes Page：10 Pages	Transient Voltage suppressor 文件：1.51182 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
MMBZ10VAL	文件：1.4338 Mbytes Page：10 Pages	Transient Voltage suppressor 文件：1.4338 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
MMBZ10VAL	文件：1.45102 Mbytes Page：10 Pages	Transient Voltage suppressor 文件：1.45102 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
MMBZ10VAL	文件：70.23 Kbytes Page：8 Pages	24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors 文件：70.23 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBZ10VAL-Q	文件：215.62 Kbytes Page：11 Pages	丝印：RV；Package：SOT23；Low capacitance unidirectional double ESD protection diode 1. General description Unidirectional double ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode in a common anode configuration, encapsulated in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The device is designed for ESD and transient overvoltage protection of up to two si 文件：215.62 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
MMBZ10VAL-7-F	文件：448.67 Kbytes Page：4 Pages	24W AND 40W PEAK POWER DUAL SURFACE MOUNT TVS 文件：448.67 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Configuration：
Dual
Power Rating：
24 W
Reverse Standoff Voltage VRWM：
6.5 V
Breakdown Voltage VBR Min：
9.5
Breakdown Voltage VBR Max：
10.5
Maximum Reverse Leakage Current IR @ VRWM Max：
0.3 µA
Maximum Clamping Voltage @ Max Peak Pulse Current VC：
14.2 V
Packages：
SOT23

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更多MMBZ10VAL供应商更新时间2026-4-18 11:30:00

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