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MMBTSC2712	文件：244.27 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for audio frequency general purpose amplifier applications. The transistor is subdivided into four groups O, Y, G and L, according to its DC current gain. Features • High voltage and high current: VCEO=50V, IC=150mA(max) • High hFE: hFE=70~700 • Low n 文件：244.27 Kbytes 页数：3 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
MMBTSC2712	文件：116.51 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for audio frequency general purpose amplifier applications. The transistor is subdivided into four groups O, Y, G and L, according to its DC current gain. Features • High voltage and high current: VCEO=50V, IC=150mA(max) • High hFE: hFE=70~700 • Low n 文件：116.51 Kbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
MMBTSC2712	文件：787.07 Kbytes Page：3 Pages	NPN Transistor 文件：787.07 Kbytes 页数：3 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI
MMBTSC2712	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN小信号三极管	CBI 创基电子	CBI
MMBTSC2712G	文件：787.07 Kbytes Page：3 Pages	丝印：LG；Package：TO-236；NPN Transistor 文件：787.07 Kbytes 页数：3 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI
MMBTSC2712L	文件：787.07 Kbytes Page：3 Pages	丝印：LL；Package：TO-236；NPN Transistor 文件：787.07 Kbytes 页数：3 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI
MMBTSC2712O	文件：787.07 Kbytes Page：3 Pages	丝印：LO；Package：TO-236；NPN Transistor 文件：787.07 Kbytes 页数：3 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI
MMBTSC2712Y	文件：787.07 Kbytes Page：3 Pages	丝印：LY；Package：TO-236；NPN Transistor 文件：787.07 Kbytes 页数：3 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI

技术参数

ptot(W)：
0.2
IC(A)：
0.15
Vcbo(V)：
60
Vceo(V)：
50
Vebo(V)：
5
Icbo(uA)：
0.1
Icbo(V)：
60
Vce(sat)(V)：
0.25
Vce(sat)Ic(mA)：
100
Vce(sat)Ib(mA)：
10
hFE：
70~700
hFEvce(v)：
6
hFEIc(mA)：
2
ftMHz：
80
ftVce(v)：
10
ftIc/Ie(mA)：
1
PackageOutline：
SOT-23
Arrays：
BEC

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