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MMBTSC1623	文件：210.83 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications Thetransistorissubdividedintofourgroups, O,Y,GandL,accordingtoitsDCcurrentgain	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBTSC1623	文件：813.29 Kbytes Page：4 Pages	NPN Transistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
MMBTSC1623L4	文件：813.29 Kbytes Page：4 Pages	Marking：L4；Package：SOT-23；NPN Transistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
MMBTSC1623L5	文件：813.29 Kbytes Page：4 Pages	Marking：L5；Package：SOT-23；NPN Transistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
MMBTSC1623L6	文件：813.29 Kbytes Page：4 Pages	Marking：L6；Package：SOT-23；NPN Transistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
MMBTSC1623L7	文件：813.29 Kbytes Page：4 Pages	Marking：L7；Package：SOT-23；NPN Transistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
MUR1623CT	文件：60.07 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Singlerectifierconstruction •Highsurgecapability •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolaritypro	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MUR1623CT	文件：59.59 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Singlerectifierconstruction •Highsurgecapability •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolaritypro	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
NCP1623	文件：331.85 Kbytes Page：20 Pages	Enhanced,High-EfficiencyPowerFactorController Features •ValleySynchronizedFrequencyFold−back(VSFF): ♦CrMatHeavyLoad ♦DCMatLightLoadbyDeadTimeControl ♦ValleySwitchinginBothCrMandDCM •On−timeModulationforHighPFCinBothCrMandDCM •FollowerBoostCapability(NCP1623AOnly) ♦LoweredOutputVoltageRegulatio	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PVC1623	文件：289.14 Kbytes Page：6 Pages	PolyesterandPolypropyleneFilm/FoilCapacitors	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE

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