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MMBTA64	文件：41.27 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR 文件：41.27 Kbytes 页数：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
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MMBTA64	文件：110.66 Kbytes Page：3 Pages	PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR 文件：110.66 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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MMBTA64	文件：479.16 Kbytes Page：4 Pages	Darlington Transistor PNP Silicon 文件：479.16 Kbytes 页数：4 Pages	WEITRON	WEITRON
MMBTA64	文件：180.93 Kbytes Page：4 Pages	丝印：2V；Package：SOT-23；PNP Darlington Amplifier Transistor 文件：180.93 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
MMBTA64	文件：848.11 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) 文件：848.11 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
MMBTA64	文件：275.16 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) 文件：275.16 Kbytes 页数：1 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
MMBTA64	文件：244.83 Kbytes Page：3 Pages	丝印：2V；Package：SOT-23；Darlington Transistors 文件：244.83 Kbytes 页数：3 Pages	FS	FS

晶体管资料

型号：
MMBTA64
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDV26,BDV46,PMBTA64,SMBTA64,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.3

产品属性

产品编号：
MMBTA64
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 100µA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20000 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
125MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3

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