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MMBT4403LT1G	文件：150.06 Kbytes Page：7 Pages	Switching Transistor Switching Transistor PNP Silicon Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：150.06 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT4403LT1G	文件：168.3 Kbytes Page：7 Pages	Switching Transistor Switching Transistor PNP Silicon Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：168.3 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT4403LT3	文件：147.1 Kbytes Page：8 Pages	Switching Transistor(PNP Silicon) Switching Transistor PNP Silicon Features • Pb−Free Package is Available 文件：147.1 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT4403LT3G	文件：150.06 Kbytes Page：7 Pages	Switching Transistor Switching Transistor PNP Silicon Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：150.06 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MMBT4403L-AE3-R	文件：195.7 Kbytes Page：5 Pages	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER 文件：195.7 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
MMBT4403L-AL3-R	文件：195.7 Kbytes Page：5 Pages	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER 文件：195.7 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
MMBT4403LT1_15	文件：156.55 Kbytes Page：2 Pages	NPN TRANSISTOR 文件：156.55 Kbytes 页数：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
MMBT4403L	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP 双极晶体管 The PNP Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications. • Low rDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life\n• Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space\n• Pb-Free Packages are Available\n• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT4403LT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	贴片晶体管	Nanjing 南晶电子	Nanjing

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.75
IC Cont. (A)：
0.6
VCEO Min (V)：
40
VCBO (V)：
40
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
1.3
hFE Min：
100
hFE Max：
300
fT Min (MHz)：
200
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

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