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MMBT4401L	文件：176.38 Kbytes Page：7 Pages	Switching Transistor Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements 文件：176.38 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT4401L	文件：153.57 Kbytes Page：7 Pages	Switching Transistor NPN Silicon Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements 文件：153.57 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT4401L-AE3-R	文件：117.2 Kbytes Page：6 Pages	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER DESCRIPTION The UTC MMBT4401 is designed for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500mA. 文件：117.2 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
MMBT4401LT1	文件：265.25 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistor(NPN Silicon) General Purpose Transistors NPN Silicon 文件：265.25 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBT4401LT1	文件：301.26 Kbytes Page：8 Pages	Switching Transistor Switching Transistor NPN Silicon 文件：301.26 Kbytes 页数：8 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MMBT4401LT1	文件：38.63 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Power dissipation PCM: 0.3 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.6 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：38.63 Kbytes 页数：1 Pages	AVICTEK	AVICTEK
MMBT4401LT1	文件：43.66 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The MMBT4401LT1 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Absolute Maximum Ratings • Maximum Temperatures Storage Temperature............................................................................................... -55~+150°C Jun 文件：43.66 Kbytes 页数：3 Pages	TGS	TGS
MMBT4401LT1	文件：153.69 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) Features • Power dissipation PCM : 0.225 W (Tamb=25°C) • Pluse Drain ICM : 0.6 mA • Reverse Voltage V(BR)CBO : 60V • Operating and storage junction temperature range Tj , Tstg : -55 C to +150 C 文件：153.69 Kbytes 页数：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
MMBT4401LT1	文件：213.29 Kbytes Page：8 Pages	Switching Transistor(NPN Silicon) Switching Transistor NPN Silicon Features • Pb−Free Package is Available 文件：213.29 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT4401LT1	文件：428.57 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 文件：428.57 Kbytes 页数：6 Pages	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.75
IC Cont. (A)：
0.6
VCEO Min (V)：
40
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
1.2
hFE Min：
100
hFE Max：
300
fT Min (MHz)：
250
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

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