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MMBT4401-G	文件：153.42 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor GeneralPurposeTransistor RoHSDevice Features -SwitchingTransistor	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMBT4401K	文件：59.64 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor PNPEpitaxialSiliconTransistor SwitchingTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT4401L	文件：176.38 Kbytes Page：7 Pages	SwitchingTransistor Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplications RequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT4401L	文件：153.57 Kbytes Page：7 Pages	SwitchingTransistorNPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplications RequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT4401T	文件：58.2 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>40V •IC=600mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryPNPType:MMBT2907AT •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifi	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT4401T	文件：182.64 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT4403T) •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT4401-TP	文件：95.52 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT4401W	文件：157.11 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor NPNSiliconGeneralPurposeTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT4401W	文件：304.12 Kbytes Page：5 Pages	SwitchingTransistor NPNSiliconSwitchingTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT4401W	文件：887.4 Kbytes Page：3 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER225mW FEATURES NPNepitaxialsilicon,planardesign Collector-emittervoltageVCE=40V CollectorcurrentIC=600mA IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

详细参数

型号：
MMBT4401-G
功能描述：
射频双极电源晶体管 VCEO=40V IC=600mA
RoHS：
否
制造商：
M/A-COM Technology Solutions
配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
Min：
40
最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
4 V
集电极连续电流：
20 A
功率耗散：
250 W
封装/箱体：
Case 211-11
封装：
Tray

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