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MMDT3906	文件：240.65 Kbytes Page：2 Pages	Multi-ChipTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMDT3906	文件：109.38 Kbytes Page：2 Pages	PNPSmallSignalSurfaceMountTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-smallSurfaceMountPackage •EpitaxialPlanarDieConstruction •Epo	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT3906	文件：174.83 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT3906	文件：256.25 Kbytes Page：2 Pages	PNPSmallSignalSurfaceMountTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT3906	文件：121.58 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMMDT3906isaDualPNPsmallsignalsurfacemounttransistor.It’ssuitableforlowpoweramplificationandswitch. FEATURES SuitableforLowPowerAmplificationandSwitching EpitaxialPlanarDieConstruction *Extremely-SmallSurfaceMountPackage	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMDT3906	文件：446.77 Kbytes Page：7 Pages	40VDUALPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT3906	文件：285.08 Kbytes Page：2 Pages	PNPSmallSignalSurfaceMountTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT3906	文件：4.06776 Mbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(PNPPNP) DUALTRANSISTOR(PNP+PNP) FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction ●Idealforlowpoweramplificationandswitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMDT3906	文件：176.23 Kbytes Page：1 Pages	Multi-ChipTRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMDT3906	文件：148.79 Kbytes Page：4 Pages	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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产品属性

产品编号：
MMBT3906M-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-101，SOT-883
供应商器件封装：
SOT-883
描述：
TRANS PNP 40V 0.2A SOT883

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	MMBT3906M-TP	Micro Commercial Co	25+	SC-101 SOT-883	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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更多MMBT3906M-TP供应商更新时间2025-5-22 14:15:00

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