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MMBT3904K	文件：1.33306 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors Features ●HighStabilityandHighReliability ●PowerDisspationof200mW ●ComplementarytoMMBT3906K PackageSOT-23	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT3904L	文件：164.6 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904L	文件：143.64 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904L	文件：253.98 Kbytes Page：4 Pages	300mW,NPNSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT3904L	文件：1.25601 Mbytes Page：9 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORNPNSILICON DESCRIPTION The MMBT3904LisavailableinSOT23package FEATURES ⚫AvailableinSOT23package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MMBT3904L	文件：218.31 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistor Features •TheseDevicesarePbïFree,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AECïQ101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904-L	文件：1.19223 Mbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MMBT3904LP	文件：166.2 Kbytes Page：5 Pages	40VNPNSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>40V •IC=200mAHighCollectorCurrent •PD=1000mWPowerDissipation •0.60mm2PackageFootprint,13timesSmallerthanSOT23 •0.5mmHeightPackageMinimizingOff-BoardProfile •ComplementaryPNPTypeMMBT3906LP •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3904LP	文件：1.26493 Mbytes Page：9 Pages	40VMatchedPairNPNSmallSignalTransistors	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
MMBT3904LP	文件：470.27 Kbytes Page：2 Pages	50VNPNGeneralPurposeTransistor\| Features «Highvoltageandhighcurrent :Vceo=50V,Ic=100mA(max) «Excellenthglinearity:hrg(Ic=0.1mA)/hgeg(Ic=2mA)=0.95(typ.) *Highhrg-hp=120to400	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

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