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MMBT3904DW	文件：549.1 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeDoubleTransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT3904DW	文件：831.63 Kbytes Page：3 Pages	Epitaxialplanardieconstruction	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
MMBT3904DW	文件：944.52 Kbytes Page：4 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES eEpitaxialplanardieconstruction eIdealforlowpoweramplificationandswitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MMBT3904EF	文件：260.899 Kbytes Page：4 Pages	Smallsignalapplication	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
MMBT3904FA	文件：141.09 Kbytes Page：7 Pages	40VNPNSMALLSIGNALTRANSISTORINDFN0806 Features •BVCEO>40V •IC=200mAhighCollectorCurrent •PD=435mWPowerDissipation •0.48mm2packagefootprint,16timessmallerthanSOT23 •0.4mmheightpackageminimizingoff-boardprofile •ComplementaryPNPTypeMMBT3906FA •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3904FW	文件：185.51 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT3906FW) ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT3904FZ	文件：504.22 Kbytes Page：7 Pages	40VNPNSMALLSIGNALTRANSISTORINDFN0606	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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更多MMBT3904(T1A)供应商更新时间2025-7-29 10:03:00

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