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MMBT2369LT1G_09

Switching Transistors

文件:195.81 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBT2369L

NPN 双极晶体管

This NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose switching applications and is housed in the SOT-23 surface mount package. This device is ideal for low-power surface mount applications. • These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant\n• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable;

ONSEMI

安森美半导体

MMBT2369LT1G

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 15V Switching NPN

ONSEMI

安森美半导体

MMBT2369LT3G

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR NPN 15V

ONSEMI

安森美半导体

MMBT2369LT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

MMBT2369LT3G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Polarity:

    NPN

  • Type:

    General Purpose

  • VCE(sat) Max (V):

    0.5

  • IC Cont. (A):

    0.2

  • VCEO Min (V):

    15

  • VCBO (V):

    40

  • VEBO (V):

    4.5

  • VBE(sat) (V):

    1.6

  • hFE Min:

    40

  • hFE Max:

    120

  • PTM Max (W):

    0.225

  • Package Type:

    SOT-23-3

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