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MMBT2369LT1G数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MMBT2369LT1G

参数属性

MMBT2369LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3

功能描述

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 15V Switching NPN
TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 17:21:00

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MMBT2369LT1G规格书详情

简介

MMBT2369LT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MMBT2369LT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    MMBT2369LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    400nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 10mA,350mV

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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