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MMBT123S	文件：55.37 Kbytes Page：3 Pages	1A NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device (Notes 2 and 4) 文件：55.37 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT123S	文件：114.68 Kbytes Page：3 Pages	1A NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device (Notes 2 and 4) 文件：114.68 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT123S	文件：81.63 Kbytes Page：3 Pages	1A NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：81.63 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT123S_2	文件：114.68 Kbytes Page：3 Pages	1A NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device (Notes 2 and 4) 文件：114.68 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT123S-7	文件：55.37 Kbytes Page：3 Pages	1A NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device (Notes 2 and 4) 文件：55.37 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT123S-7-F	文件：114.68 Kbytes Page：3 Pages	1A NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device (Notes 2 and 4) 文件：114.68 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT123S_1	文件：81.63 Kbytes Page：3 Pages	1A NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：81.63 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT123S-7-F	文件：81.63 Kbytes Page：3 Pages	1A NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：81.63 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT123S	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 18V, 1A, SOT23	Diodes 美台半导体	Diodes
MMBT123S-7-F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 18V 1A SOT23-3	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance(Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Polarity：
NPN
IC (A)：
1
PD (W)：
0.3
hFE (Min)：
150
hFE (@ IC) (A)：
0.1
VCE(sat) Max (mV)：
500
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：
0.3/30
fT (MHz)：
100
Packages：
SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿（深圳）半导体有限公司	MMBT123S	DIODES/美台	2447	SOT23	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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更多MMBT123S供应商更新时间2026-1-23 15:01:00

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