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MMBD5004A	文件：284.81 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBD5004A-7	文件：101.08 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBD5004A-7	文件：284.81 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBD5004ACS_15	文件：101.08 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBD5004A-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY GP 350V 300MA SOT23	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
MMBD5004BRM	文件：109.72 Kbytes Page：5 Pages	HIGHVOLTAGESURFACEMOUNTSWITCHINGDIODEARRAY Features •TwoSeriesDiodeCircuitsConnecttoFormFullWaveBridge •FastSwitchingSpeed •LowCapacitance •400VReverseBreakdownVoltageRating •TotallyLeadFree&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBD5004BRM	文件：361.42 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGESURFACEMOUNTSWITCHINGDIODEARRAY	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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详细参数

型号：
MMBD5004A
功能描述：
MOSFET HiVolt Switching Dio 100V SOT23 T&R 3K
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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