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MMBD355	文件：53.32 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE Very Low Capacitance Low Forward Voltage PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection For General Purpose Switching Applications Plastic Material – UL Recognition Flammability Classification 94V-0 文件：53.32 Kbytes 页数：4 Pages	WTE Won-Top Electronics	WTE
MMBD355	文件：237.46 Kbytes Page：2 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes Dual Hot Carrier Mixer Diodes Features Very low capacitance—Less than 1.0pF@zero V. Low forward voltage—IF=10mA. Power dissipation Pd=300mW Pb/RoHS Free Applications Designed primarily for UHF mixer applications. 文件：237.46 Kbytes 页数：2 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
MMBD355	文件：229.52 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes 文件：229.52 Kbytes 页数：3 Pages	DSK	DSK
MMBD355	文件：133.89 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE 文件：133.89 Kbytes 页数：3 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
MMBD355	文件：84.98 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE 文件：84.98 Kbytes 页数：3 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
MMBD355	文件：300 bytes Page：1 Pages	- A,7V,Surface Mount Small Signal Schottky Diodes	Galaxy 银河微电	Galaxy
MMBD355LT1	文件：45.93 Kbytes Page：2 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes Dual Hot Carrier Mixer Diodes These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra–fast switching circuits. • Very Low Capacitance — Less Than 1.0 pF @ Zero Volts • Low Forward Voltage — 0.5 Volts (Typ) @ I F = 10 mA 文件：45.93 Kbytes 页数：2 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBD355LT1	文件：60.78 Kbytes Page：4 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes Dual Hot Carrier Mixer Diodes These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra–fast switching circuits. • Very Low Capacitance — Less Than 1.0 pF @ Zero Volts • Low Forward Voltage — 0.5 Volts (Typ) @ IF= 10 mA 文件：60.78 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MMBD355LT1	文件：41.41 Kbytes Page：4 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes Dual Hot Carrier Mixer Diodes These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits. Features •Very Low Capacitance −Less Than 1.0 pF @ Zero V •Low Forward Voltage −0.5 V (Typ) @ IF= 10 mA •P 文件：41.41 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD355LT1G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes Dual Hot Carrier Mixer Diodes These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits. Features •Very Low Capacitance −Less Than 1.0 pF @ Zero V •Low Forward Voltage −0.5 V (Typ) @ IF= 10 mA •P 文件：127.59 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

VRRM_Max_(V)：
7
VF_Max_(V)：
0.6
@ IF (A)：
0.01
IR_Max_(uA)：
10
@VR (V)：
7
Pin：
F9
Package_Outlines：
SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市振宏微科技有限公司	MMBD355	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MMBD355	ON/安森美	23+		13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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更多MMBD355供应商更新时间2025-12-13 17:00:00

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