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MMBD353LT1	文件：41.41 Kbytes Page：4 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes Dual Hot Carrier Mixer Diodes These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits. Features •Very Low Capacitance −Less Than 1.0 pF @ Zero V •Low Forward Voltage −0.5 V (Typ) @ IF= 10 mA •P 文件：41.41 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD353LT1G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes Dual Hot Carrier Mixer Diodes These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits. Features •Very Low Capacitance −Less Than 1.0 pF @ Zero V •Low Forward Voltage −0.5 V (Typ) @ IF= 10 mA •P 文件：127.59 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD353LT3G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes Dual Hot Carrier Mixer Diodes These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits. Features •Very Low Capacitance −Less Than 1.0 pF @ Zero V •Low Forward Voltage −0.5 V (Typ) @ IF= 10 mA •P 文件：127.59 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD353-T1	文件：53.32 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE Very Low Capacitance Low Forward Voltage PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection For General Purpose Switching Applications Plastic Material – UL Recognition Flammability Classification 94V-0 文件：53.32 Kbytes 页数：4 Pages	WTE Won-Top Electronics	WTE
MMBD353W	文件：89.41 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE FEATURES • Low Capacitance,Minimizing Insertion Losses in VHF Applications • Low VF : 0.5V (Typ) at IF=10mA • Extremely Fast Switching Speed • Pb free product are available : 99 Sn above can meet RoHS environment substance directive request 文件：89.41 Kbytes 页数：3 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
MMBD353LT1	文件：93.76 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes 文件：93.76 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD353LT1G	文件：93.76 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes 文件：93.76 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD353LT1G	文件：122.87 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes 文件：122.87 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD353LT3	文件：93.76 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes 文件：93.76 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD353LT3G	文件：93.76 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes 文件：93.76 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

VRRM_Max_(V)：
7
VF_Max_(V)：
0.6
@ IF (A)：
0.01
IR_Max_(uA)：
10
@VR (V)：
7
Pin：
F7
Package_Outlines：
SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MMBD353	ON	24+		96000		询价
深圳市振宏微科技有限公司	MMBD353	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
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