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MMBD352W_17	文件：157.75 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode 文件：157.75 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
MMBD352WT1	文件：43.18 Kbytes Page：4 Pages	Dual Schottky Barrier Diode 文件：43.18 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD352WT1_05	文件：43.18 Kbytes Page：4 Pages	Dual Schottky Barrier Diode 文件：43.18 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD352WT1G	文件：43.18 Kbytes Page：4 Pages	Dual Schottky Barrier Diode 文件：43.18 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD352WT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual Schottky Barrier Diode These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra–fast switching circuits.• Very Low Capacitance — Less Than 1.0 pF @ Zero Volts\n• Low Forward Voltage — 0.5 Volts (Typ) @ IF = 10 mA	LRC 乐山无线电	LRC
MMBD352WT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

更多MMBD352W供应商更新时间2026-4-17 15:33:00