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MMBD301M3T5G	文件：192.36 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Hot-Carrier Diode SCHOTTKY Barrier Diode The MMBD301M3T5G device is a spin−off of our popular SOT−23 three−leaded device. It is designed primarily for high−efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily adaptable to many other fast switching RF and digital applications and is housed in the SOT−723 surface mount package. 文件：192.36 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD301M3T5G	文件：117.03 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Hot-Carrier Diode 文件：117.03 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD301M3T5G	文件：94.61 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Hot-Carrier Diode 文件：94.61 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD301M3T5G_13	文件：94.61 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Hot-Carrier Diode 文件：94.61 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD301M3T5G	文件：300 bytes Page：1 Pages	200 mA, 30 V, Schottky Diode The Schottky Diode is a spin-off of our popular SOT-23 three-leaded device. It is designed primarily for high-efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily adaptable to many other fast switching RF and digital applications and is housed in the SOT-723 surface mount package. This device	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD301M3T5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-723；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT723	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBD301M3T5G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管类型：
肖特基 - 单
电压 - 峰值反向（最大值）：
30V
不同 Vr、F 时电容：
1.5pF @ 15V，1MHz
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
封装/外壳：
SOT-723
供应商器件封装：
SOT-723
描述：
DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT723

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