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MMBD2004S

P500-G and P850-G Series Dual TBU짰 High-Speed Protectors

文件:793.78 Kbytes 页数:7 Pages

BOURNS

伯恩斯

MMBD2004S_1

HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE

文件:82.73 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

MMBD2004S_13

250mW 300Volt Dual Series Switching Diode

文件:307.01 Kbytes 页数:3 Pages

MCC

MMBD2004S_15

HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT DUAL SWITCHING DIODE

文件:97.3 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

MMBD2004S-7-F

HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT DUAL SWITCHING DIODE

文件:97.3 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

MMBD2004S-7-F

HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE

文件:82.73 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

MMBD2004SQ-7-F

HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT DUAL SWITCHING DIODE

文件:97.3 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

MMBD2004SW

SOT-323 Plastic-Encapsulate Diodes

文件:461.07 Kbytes 页数:3 Pages

WILLAS

威伦电子

MMBD2004SW

SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE

文件:113.2 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

MMBD2004SW_08

SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE

文件:113.2 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

技术参数

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP):

    Automotive

  • Configuration:

    Dual

  • Polarity:

    Anode

  • Power Rating (mW):

    350 mW

  • N):

    No Y/N

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V):

    300 V

  • Reverse Recovery Time trr (ns):

    50 ns

  • Maximum Average Rectifier Current IO (mA):

    225 mA

  • Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A):

    4 A

  • Forward Voltage Drop VF @ IF (mA):

    0

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA):

    0.1 µA

  • Maximum Reverse Current IR @ VR (V):

    240 V

  • V(BR)R (V) Min (µA):

    300

  • TotalCapacitance CT (pF):

    5 pF

  • VF(V) Max @ IF=10mA:

    0.855

  • VF(V) Max @ IF=100mA:

    1

  • IR(uA) Max @ VR=80V:

    100nA@240V

  • Packages:

    SOT23

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT-23
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