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MJE703STU	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS PNP DARL 80V 4A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE703STU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 80V 4A TO126-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE703T	文件：194.68 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) PLASTIC DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS ... designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. FEATURES * High DCCurrent Gain — hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 A * Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Resistors to Limit Leakage Multiplicat 文件：194.68 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
MJE703T	文件：250.78 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector–Emitter Breakdown Voltage— : V(BR)CEO =-80 V • DC Current Gain— : hFE = 750(Min) @ IC=-2A • Complement to Type MJE803T APPLICATIONS • Designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications 文件：250.78 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMA703	文件：393.77 Kbytes Page：4 Pages	DC to 6 GHz Amplifier 文件：393.77 Kbytes 页数：4 Pages	AEROFLEX	AEROFLEX

产品属性

产品编号：
MJE703STU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.8V @ 40mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 2A，3V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126-3
描述：
TRANS PNP DARL 80V 4A TO126-3

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