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MJE801T	文件：194.68 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) PLASTIC DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS ... designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. FEATURES * High DCCurrent Gain — hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 A * Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Resistors to Limit Leakage Multiplicat 文件：194.68 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
MJE801T	文件：250.83 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：250.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJE801T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington	Central	Central
MJE801T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington NPN 60V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box	NJS	NJS

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Minimum DC Current Gain：
750@1.5A@3V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Continuous DC Collector Current：
4A
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市河锋鑫科技有限公司	MJE801T	ON/安森美	22+	TO-126	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	MJE801T	ON/安森美	22+	TO-126	97581		询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	MJE801T	ON	25+	TO-126	37650	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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深圳市利加科技有限公司	MJE802	ON	16+	TO-126	10000	全新原装现货	询价
上海金庆电子技术有限公司	MJE802	ON	新		425	全新原装货期两周	询价
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更多MJE801T供应商更新时间2025-10-10 16:01:00

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