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MJE521	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 4A SOT32-3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJE521G	文件：67.68 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium?뭁ower NPN Silicon Transistor These devices are designed for use in general−purpose amplifier and switching circuits. Recommended for use in 5 to 10 Watt audio amplifiers utilizing complementary symmetry circuitry. Features • DC Current Gain − hFE = 40 (Min) @ IC = 1.0 Adc • Co 文件：67.68 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE521_03	文件：45.84 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN TRANSISTOR 文件：45.84 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJE521G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 4A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MJE521
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 1A，1V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 40V 4A TO126

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