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MJE371中文资料4 AMPERE POWER TRANSISTOR PNP SILICON 40 VOLTS 40 WATTS数据手册恩XP规格书

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厂商型号

MJE371

参数属性

MJE371 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 4A TO126

功能描述

4 AMPERE POWER TRANSISTOR PNP SILICON 40 VOLTS 40 WATTS

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-24 8:14:00

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MJE371规格书详情

描述 Description

Plastic Medium-Power PNP Silicon Transistors. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching circuits. Recommended for use in 5 to 20 Watt audio amplifiers utilizing complementary symmetry circuitry.
• DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 1.0 Adc
• MJE371 is Complementary to NPN MJE521

技术参数

  • 产品编号:

    MJE371

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 1A,1V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 4A TO126

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