MJE350数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
MJE350 |
| 参数属性 | MJE350 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 300V 0.5A SOT32-3 |
| 功能描述 | 互补功率晶体管 |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 23:01:00 |
| 人工找货 | MJE350价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MJE350规格书详情
描述 Description
The MJE340 is a silicon planar NPN transistor intended for use in medium power linear and switching applications. It is mounted in SOT-32.
The complementary PNP type is MJE350.
特性 Features
• STMicroelectronics preferred salestypes
• Complementary NPN - PNP devices
简介
MJE350属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MJE350晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MJE350
- 生产厂家
：ST
- Package
：SOT-32
- Grade
：Industrial
- Transistor Polarity
：PNP
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
：300
- Collector-Base Voltage_max(V)
：300
- Collector Current_max(A)
：0.5
- Collector Current_abs_max(A)
：0.5
- Dc Current Gain_min
：30
- Dc Current Gain_max
：240
- Test Condition for hFE (IC)
：0.05
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
：10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CHN |
24+ |
NA/ |
6750 |
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询价 | ||
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24+ |
标准封装 |
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ON/安森美 |
25+ |
NA |
860000 |
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25+ |
TO-225AATO-126 |
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询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
22+ |
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询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
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ST/意法半导体 |
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SOT-32-3 |
10000 |
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ST(意法半导体) |
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ST |
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22+ |
TO-220-3 |
50000 |
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询价 |
