MJE344中文资料0.5 A, 200 V NPN Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
MJE344 |
参数属性 | MJE344 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 200V 0.5A TO126 |
功能描述 | 0.5 A, 200 V NPN Bipolar Power Transistor |
封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-24 9:46:00 |
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MJE344规格书详情
描述 Description
This device is useful for medium voltage applications requiring high fT such as converters and extended range amplifiers.
特性 Features
• Pb-Free Package is Available
简介
MJE344属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJE344晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:MJE344
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:1
- IC Cont. (A)
:0.5
- VCEO Min (V)
:200
- VCBO (V)
:200
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:1
- hFE Min
:30
- hFE Max
:300
- fT Min (MHz)
:15
- PTM Max (W)
:20
- Package Type
:TO-225-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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