MJE3439中文资料NPN Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

The NPN Bipolar Power Transistor is designed for use in line-operated equipment requiring high fT.

特性 Features

• High DC Current Gain hFE = 40-160 @ IChFE= 20 mAdc
• Current Gain Bandwidth Product -fT = 15 MHz (Min) @ ICfT = 10 mAdc
• Low Output Capacitance Cob = 10 pF (Max) @ f Cob = 1.0 MHz
• Pb-Free Package is Available

简介

MJE3439属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MJE3439晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。