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MJE3055T数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJE3055T

参数属性

MJE3055T 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 10A TO220

功能描述

互补功率晶体管
TRANS NPN 60V 10A TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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MJE3055T规格书详情

描述 Description

The MJE3055T is a silicon Epitaxial-Base NPN transistor in Jedec TO-220 package. It is intended for power switching circuits and general-purpose amplifiers. The complementary PNP type is MJE2955T.

特性 Features

• STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES
• COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES

简介

MJE3055T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJE3055T晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJE3055T

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :60

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :70

  • Collector Current_max(A)

    :10

  • Collector Current_abs_max(A)

    :10

  • Dc Current Gain_min

    :20

  • Dc Current Gain_max

    :70

  • Test Condition for hFE (IC)

    :4

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :4

  • VCE(sat)_max(V)

    :1.1

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :4

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :400

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
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