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MJE3439	文件：60.35 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon High?뭋oltage Power Transistor NPN Silicon High−Voltage Power Transistor This device is designed for use in line−operated equipment requiring high fT. Features • High DC Current Gain − hFE = 40−160 @ IC = 20 mAdc • Current Gain Bandwidth Product − fT = 15 MHz (Min) @ IC 文件：60.35 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE3439	文件：100.38 Kbytes Page：4 Pages	0.3 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 350 VOLTS 15 WATTS NPN Silicon High-Voltage Power Transistors . . . designed for use in line–operated equipment requiring high fT. • High DC Current Gain hFE = 40–160 @ IC = 20 mAdc • Current Gain Bandwidth Product — fT = 15 MHz (Min) @ IC = 10 mAdc • Low Output Capacitance Cob = 10pF( 文件：100.38 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MJE3439	文件：87.77 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon High-Voltage Power Transistors 文件：87.77 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MJE3439	文件：300 bytes Page：1 Pages	0.3 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 350 VOLTS 15 WATTS NPN Silicon High-Voltage Power Transistors. . . designed for use in line–operated equipment requiring high fT.• High DC Current Gain\n hFE = 40–160 @ IC = 20 mAdc\n• Current Gain Bandwidth Product —\n fT = 15 MHz (Min) @ IC = 10 mAdc\n• Low Output Capacitance\n Cob = 10pF(Max) @ f = 1.0 MHz	恩XP	恩XP
MJE3439	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 3-Pin TO-225 Bulk	NJS	NJS
MJE3439	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage	Central	Central
MJE3439G	文件：60.35 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon High?뭋oltage Power Transistor NPN Silicon High−Voltage Power Transistor This device is designed for use in line−operated equipment requiring high fT. Features • High DC Current Gain − hFE = 40−160 @ IC = 20 mAdc • Current Gain Bandwidth Product − fT = 15 MHz (Min) @ IC 文件：60.35 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE3439G	文件：82.31 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon High-Voltage Power Transistor NPN Silicon High−Voltage Power Transistor This device is designed for use in line−operated equipment requiring high fT. Features • High DC Current Gain − hFE = 40−160 @ IC = 20 mAdc • Current Gain Bandwidth Product − fT = 15 MHz (Min) @ IC 文件：82.31 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE3439G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 350V 0.3A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MJE3439
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_视频输出（Vid）_功率放大
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
350V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD410,2N5657,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
350
htest：
999900
atest：
0.3
wtest：
15

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.5
IC Cont. (A)：
0.3
VCEO Min (V)：
350
VCBO (V)：
450
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
1.3
VBE(on) (V)：
0.8
hFE Min：
15
hFE Max：
200
fT Min (MHz)：
15
PTM Max (W)：
15
Package Type：
TO-225-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市赛尔通科技有限公司	MJE3439	MOT	23+	TO-126	138775		询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	MJE3439	onsemi(安森美)	25+	TO-126	7786	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
深圳市一线半导体有限公司	MJE3439	ON	24+	N/A	5000	公司存货	询价
芯有半导体（深圳）有限公司	MJE3439	ST	05+	原厂原装	1226	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市弘为电子有限公司	MJE3439	ONSEMICONDU	24+	原装进口原厂原包接受订货	1400	原装现货假一罚十	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	MJE3439	MOTOROLA/摩托罗拉	23+	TO-126	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
标准国际(香港)有限公司	MJE3439	MJE3439	25+	6	6		询价
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深圳市瑞卓芯科技有限公司	MJE3439	MOTOROLA/摩托罗拉	22+	TO-225AATO-126	18000	原装正品	询价

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