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MJE3055T中文资料Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch数据手册Central规格书

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厂商型号

MJE3055T

参数属性

MJE3055T 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 10A TO220

功能描述

Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch

封装外壳

TO-220-3

制造商

Central Central Semiconductor Corp

中文名称

美国中央半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 12:25:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MJE3055T

  • 生产厂家

    :Central

  • Case

    :TO-220

  • Configuration/ Description

    :NPN General Purpose Amplifier/Switch

  • Polarity

    :NPN

  • IC MAX

    :10A

  • PD MAX

    :75W

  • VCEO MAX

    :60V

  • hFE MIN

    :20

  • hFE MAX

    :100

  • @VCE

    :4V

  • VCE(SAT) MAX

    :1.1V

  • @IC

    :4A

  • @IB

    :400mA

  • Cob TYP

    :-

  • Cob MAX

    :-

  • fT TYP

    :-

  • fT MIN

    :2MHz

  • NF MAX

    :-

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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